聚焦离子束(FIB)
核心提示:
晨芯科技反向研发的此款聚焦离子束可以用在从200mm的薄片到复数的小片样品的各种各样的用途上面的装置。具有普通双束和特殊三束装置,特殊三束装置是因为三道光束照射在试料的同一个位置上,一边用SEM观察试料的断面一边用极低加速Ar离子束去除在FIB加工中发生的损伤,使数nm水平的均一研磨成为可能的世界上唯一的系列产品。
◆产品概述
晨芯科技反向研发的此款聚焦离子束可以用在从200mm的薄片到复数的小片样品的各种各样的用途上面的装置。具有普通双束和特殊三束装置,特殊三束装置是因为三道光束照射在试料的同一个位置上,一边用SEM观察试料的断面一边用极低加速Ar离子束去除在FIB加工中发生的损伤,使数nm水平的均一研磨成为可能的世界上唯一的系列产品。

◆结构特征
1、3轴直行坐标系细微探测器
通过直行坐标系XYZ驱动调节器的采用,提高了操作性。
2、用于TEM试料制作的连续自动加工软件
厚度0.1µm±0.05µm为精度的自动制作TEM试料的软件。
3、TEM试料制作厚度管理软件
TEM试料制作时自动进行最终厚度管理的软件。
4、Cut&See Pro软件
能够无人自动取得复数点的断面加工?等间隔断面画面,能够对应在各个画面的自动变焦/对比度控制的用于3D构造解析的软件。
5、各种各样气体枪系统
与FIB照射同时喷吹特定气体,使利用化学特性的加工成为可能的系统。
• 碳素沉淀气体
• 钨沉淀气体
• 铂沉淀气体
• 绝缘膜生成气体
• 氟化氙蚀刻气体
• 有机系蚀刻气体
• 金属蚀刻气体
◆技术参数
试料尺寸:最大200mmφ JEIDA规格薄片
试料平台:5轴平台
FIB(聚焦离子束)加速电压:1~30kV (5kV step)
二次电子观察像分解能:4nm 30V
最大电流密度:30A/m2
SEM(电子束)加速电压:1~30kV
二次电子观察像分解能:3nm 5kV
Ar束(只有TB)加速电压:0.5~1kV
标准零配件:细微探测系统、4ch各种气体供给系统(MGS)及其他
◆应用范围
1 SMI图像的特征及断面分析
2 利用FIB的断面加工、观察技术
3 利用超微钳系统的用于TEM观察的试料的In-situ试料Handling
4 使用ArBID的感光耐蚀剂的试料制作与观察
5 厚度管理软件
6 在无铅镀膜铜引线框架上产生的锡晶须、电路板界面构造解析
7 通过倾斜加工的TEM试料制作
8 通过三重光束装置进行FIB损坏层的去除
9 用于HRTEM观察的新型网眼“极微网眼”
10 使用了E气体与AutoBitmap软件的LSI平坦化加工技术
此款聚焦离子束是晨芯科技在不断为公司事业所用的FIB基础上反向研发的,拥有各位工程师最优秀的方案。我们不仅可为用户提供此系列产品的克隆仿制与二次开发,并可提供诸多设计参考、系统级解决方案与样机调试、批量生产等垂直化服务,帮助客户实现其产品最大性价比。同时,我们会随着市场的需求变化以及技术的进步对其进行后续功能的升级和扩展,并可根据您的具体需求为您提供定制化服务。现诚挚对外转让此相关案例的全套技术资料,详情请咨询晨芯科技商务中心。
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